Лауреат премии «Глобальная энергия» за изобретение первого полупроводникового светодиода в видимой области спектра и вклад в создание кремниевой силовой электроники
Ник Холоньяк родился 3 ноября 1928 года в городе Зейглер, штат Иллинойс, США. В 1954 году он получил докторскую степень в Университете Иллинойса.
В 1956 году его опубликованные работы сыграли уникальную роль в развитии силовой кремниевой электроники и кремниевой микроэлектроники. В 1957 году Ник Холоняк стал главным создателем силовой кремниевой электроники. Два года спустя он изобрел первые полупроводниковые светодиоды. В 1963 году Холоняк начал поиск квантовых ям и лазеров с квантовыми ямами. Ник Холоняк внес существенный вклад в разработку кремниевых ключей pnpn и управляемых кремниевых выпрямителей. Это полупроводниковое устройство в настоящее время широко используется во многих энергоблоках.
С 2007 года он является заведующим кафедрой электротехники, вычислительной техники и физики в Университете Иллинойса.
Научная деятельность
- Автор уникальных работ по развитию силовой кремниевой электроники и кремниевой микроэлектроники.
- Один из основоположников силовой кремниевой электроники.
- Создан первый полупроводниковый лазер видимого света.
- Занимался проблемами квантовых ям и лазеров на квантовых ямах.
- Внес большой вклад в создание управляемых кремниевых выпрямителей и кремниевых ключей pnpn.
